當前位置：
摻雜是將一定數量和一定種類(lèi)的雜質(zhì)摻入硅中，并獲得精確的雜質(zhì)分布形狀，可用來(lái)改變晶片電學(xué)性質(zhì)，實(shí)現器件和電路縱向結構。包含擴散、離子注入等方式。高溫擴散是利用高溫驅動(dòng)雜質(zhì)穿過(guò)硅晶體結構。離子注入是通過(guò)高溫離子轟擊，使雜質(zhì)注入硅片，雜質(zhì)通過(guò)與硅片發(fā)生原子級的高能碰撞，才能被注入。
| 產(chǎn)品介紹 | ·金屬有機物化學(xué)氣相沉積：GaN，GaAs |
| ·化學(xué)氣相沉積：SIC | |
| ·離子注入：B，P，F，Al，N，Ar，H，He，Si |