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光刻工藝是半導體器件制造工藝中的一個(gè)重要步驟，該步驟利用曝光和顯影在光刻膠層上刻畫(huà)幾何圖形結構，然后通過(guò)刻蝕工藝將光掩模上的圖形轉移到所在襯底上。這里所說(shuō)的襯底不僅包含硅晶圓，還可以是其他金屬層、介質(zhì)層，例如玻璃、SOS中的藍寶石。瀚宸掌握接觸式光刻、步進(jìn)式光刻、電子束光刻等多種光刻技術(shù)。
| 應用材料 | ·硅片，玻璃，藍寶石，柔性材料等 |
| 光刻加工工藝 | ·接觸式光刻 最小圖形尺寸：1μm，套刻精度：±0.5μm |
| ·步進(jìn)式光刻 投影比例1:5，最小圖形尺寸：0.35μm ，套刻精度≤0.15μm(X,Y)，曝光范圍 22*22mm | |
| ·電子束光刻 最小圖形尺寸：10nm，套刻精度：40nm，曝光范圍 < 直徑100mm |