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拋光是指利用機(jī)械、化學(xué)或電化學(xué)的作用，使晶圓等工件表面粗糙度降低，以獲得光亮、平整表面的加工方法。是利用拋光工具和磨料顆?；蚱渌麙伖饨橘|(zhì)對(duì)工件表面進(jìn)行的修飾加工。拋光·Si，GaAs，GaN，InP，玻璃，藍(lán)寶石，陶瓷等表面粗糙度·1-50nm
通常在晶片封裝前，需要對(duì)晶片背面多余的基體材料去除一定的厚度，這一工藝過(guò)程稱之為晶片減薄。在后道制程階段，晶圓（正面已布好電路的硅片）在后續(xù)劃片、壓焊和封裝之前需要進(jìn)行背面減薄加工以降低封裝貼裝高度，減小芯片封裝體積，改善芯片的熱擴(kuò)散效率、電氣性能、機(jī)械性能及減小劃片的加工量。減薄·Si，GaAs，GaN，I
打孔”可以適用于各種材料的微孔，應(yīng)用于LED芯片制造，觸摸屏，LCD，消費(fèi)類電子，半導(dǎo)體，MEMS，照明，醫(yī)療等行業(yè)等。中慧芯提供玻璃、金屬片、硅片、半導(dǎo)體、芯片打孔等微孔打孔加工服務(wù)。打孔·各種材質(zhì)·微米級(jí)孔徑提供玻璃、金屬片、硅片、半導(dǎo)體、芯片打孔等微孔打孔加工服務(wù)。
切割有時(shí)也叫“劃片”，是芯片制造工藝流程中一道不可或缺的工序,在晶圓制造中屬于后道工序。切割的目的是將整個(gè)晶圓上每一個(gè)獨(dú)立的IC/MEMS通過(guò)激光或者高速旋轉(zhuǎn)的金剛石刀片切割開(kāi)來(lái)，以便在后續(xù)的封裝中對(duì)單個(gè)IC／MEMS進(jìn)行粘貼、鍵合等操作。激光切割·硅基底·厚度100-700μm·晶圓尺寸：2寸、4寸、6寸、8寸刀片切割·Si
摻雜是將一定數(shù)量和一定種類的雜質(zhì)摻入硅中，并獲得精確的雜質(zhì)分布形狀，可用來(lái)改變晶片電學(xué)性質(zhì)，實(shí)現(xiàn)器件和電路縱向結(jié)構(gòu)。包含擴(kuò)散、離子注入等方式。高溫?cái)U(kuò)散是利用高溫驅(qū)動(dòng)雜質(zhì)穿過(guò)硅晶體結(jié)構(gòu)。離子注入是通過(guò)高溫離子轟擊，使雜質(zhì)注入硅片，雜質(zhì)通過(guò)與硅片發(fā)生原子級(jí)的高能碰撞，才能被注入。產(chǎn)品介紹·金屬有機(jī)物化學(xué)
鍵合將兩片表面清潔、原子級(jí)平整的同質(zhì)或異質(zhì)半導(dǎo)體材料經(jīng)表面清洗和活化處理，在一定條件下直接結(jié)合，通過(guò)范德華力、分子力甚至原子力使晶片鍵合成為一體的技術(shù)。中慧芯掌握陽(yáng)極鍵合、共晶鍵合、膠鍵合等多種鍵合技術(shù)。陽(yáng)極鍵合·適用于硅片與玻璃，金屬與玻璃、半導(dǎo)體與合金、半導(dǎo)體與玻璃間的鍵合共晶鍵合·適用于PbSn，
刻蝕是用化學(xué)或物理方法有選擇地從硅片表面去除不需要的材料的過(guò)程，它是通過(guò)溶液、反應(yīng)離子或其它機(jī)械方式來(lái)剝離、去除材料的一種統(tǒng)稱?？涛g技術(shù)主要分為干法刻蝕與濕法刻蝕。干法刻蝕主要利用反應(yīng)氣體與等離子體進(jìn)行刻蝕；濕法刻蝕主要利用化學(xué)試劑與被刻蝕材料發(fā)生化學(xué)反應(yīng)進(jìn)行刻蝕。中慧芯掌握離子束刻蝕（IBE）、深硅刻
鍍膜是一種常用的表面處理工藝，一般是在真空環(huán)境下，將某種金屬或非金屬以氣相的形式沉積到材料表面，形成一層致密的薄膜，鍍膜質(zhì)量對(duì)半導(dǎo)體器件的功能形成至關(guān)重要。中慧芯掌握電子束蒸發(fā)、磁控濺射、LPCVD、PECVD、原子層沉積等多種鍍膜技術(shù)。鍍膜材料·金屬Ti、Al、Ni、Au、Ag、Cr、Pt、Cu、TiW90、Pd、Zn、Mo、W、Ta 、
光刻工藝是半導(dǎo)體器件制造工藝中的一個(gè)重要步驟，該步驟利用曝光和顯影在光刻膠層上刻畫(huà)幾何圖形結(jié)構(gòu)，然后通過(guò)刻蝕工藝將光掩模上的圖形轉(zhuǎn)移到所在襯底上。這里所說(shuō)的襯底不僅包含硅晶圓，還可以是其他金屬層、介質(zhì)層，例如玻璃、SOS中的藍(lán)寶石。中慧芯掌握接觸式光刻、步進(jìn)式光刻、電子束光刻等多種光刻技術(shù)。應(yīng)用材料·硅
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