當前位置：
| 品牌 | 產(chǎn)地 | 品名 | 型號 | 應用 |
| TRANSENE | 美國 | 鎳刻蝕液 | TFB | 標準鎳蝕刻液用于蒸鍍鎳薄膜 |
| TFG | 高純蝕刻液用于電沉積鎳薄膜，與銅、砷化鎵及其他三五族化合物相適應 | |||
| TYPE-1 | 高純蝕刻液用于鎳、鎳鐵合金及某些不銹鋼 | |||
| 金刻蝕液 | TFA | 高純度、低鈉、0.2um 過(guò)濾的蝕刻液可用于半導體和微電子領(lǐng)域，蝕刻金和鎳。 | ||
| TFAC | 選擇性的蝕刻液可用于砷化鎵及其他三五族金屬間化合物和半導體 | |||
| GE-8148 | 選擇性的蝕刻液可在鎳膜使用，較快的蝕刻速率?？上诜N子層快速的側向蝕刻。 | |||
| GE-8110 | 控制蝕刻速度，可在鎳膜使用。 | |||
| GE-8111 | 低pH 值，慢蝕刻速率，與鎳相適應。 | |||
| 金銀清洗液 | 使用蝕刻液前預清洗 | |||
| 鎳鉻刻蝕液 | TFN | 最小化的底切、優(yōu)異的精細線(xiàn)條控制，一致化操作 | ||
| 銀刻蝕液 | TFS | 選擇性的銀蝕刻液，與負性及正性光刻膠相適合，用于薄膜微電子開(kāi)發(fā)電路元件 | ||
| 鉻刻蝕液 | 1020 | 蝕刻速率快、最小化底切，適合于高精度光刻掩膜版蝕刻 | ||
| 1020AC | 蝕刻速率慢以消除底切，具有廣泛的相適性 | |||
| CRE-473 | 與銅、鎳、金以及鉬薄膜相適應 | |||
| CE-5M | 理想的高精度光刻掩膜版蝕刻液 | |||
| TFE | 用于鉻-硅薄膜，與銅薄膜相適應 | |||
| CE-8002-A | 鉻蝕刻液 CE-8002-A 是鈰銨/ 醋酸基蝕刻液，用于鉻基板蝕刻，蝕刻速度慢而沒(méi)有底切。通常室溫下蝕刻時(shí)間 20-60 秒。 | |||
| CE-8001-N | 鉻蝕刻液 CE-8001-N 是硝酸鈰銨/ 硝酸基蝕刻液，用于所有類(lèi)型的鉻基板蝕刻，蝕刻速度由基板中鉻密度和工藝條件決定。通常室溫下蝕刻時(shí)間 15-55 秒。這種蝕刻液也有添加了表面活性劑的鉻蝕刻液 CE-8001-NS 供應 | |||
| 釕蝕刻液 | RU-44 | 釕蝕刻液 RU-44 是硝酸鈰銨/ 硝酸基蝕刻液，用于所有類(lèi)型的 蒸鍍釕薄膜的蝕刻。蝕刻速度由基板中釕密度和工藝條件決定。通常室溫下蝕刻時(shí)間 15-55 秒。這種蝕刻液也有添加了表面活性劑的釕蝕刻液 RU-44S 供應。釕蝕刻液 RU-44 適合于亞微米光刻應用。如果需要快速蝕刻，鉻-陶瓷蝕刻液 TFE 可以使用 | ||
| 鋁刻蝕液 | TYPE-A | 標準鋁蝕刻液用于硅器件和其他微電子應用 | ||
| TYPE-D | 標準鋁蝕刻液用于砷化鎵、砷和磷化鎵器件以及鎳鉻電阻上鋁金屬化膜的制作 | |||
| TYPE-F | 鋁蝕刻液F 型是一種穩定的蝕刻液，可用于在硅器件上及集成電路應用中蝕刻鋁或鋁-硅金屬化膜。鋁蝕刻液 F 型具有獨特的性質(zhì)可以很容易地克服許多在鋁蝕刻時(shí)遇到的問(wèn)題如金屬殘留等 | |||
| 印刷電路板銅蝕刻液 | TYPE-100 | 用于浸沒(méi)式蝕刻 | ||
| TYPE-200 | 用于噴霧蝕刻技術(shù) | |||
| APS-100 | 用于薄膜和印刷電路板 | |||
| TYPE-49-1 | 銅蝕刻液 49-1 是一種高純的、可控的蝕刻液，用于特殊微電子蝕刻如砷化鎵或銅。銅蝕刻液 BTP 可進(jìn)行快速蝕刻，同時(shí)保持了鎳的相適性 | |||
| BTP | ||||
| 鈀蝕刻液 | TFP | 鈀蝕刻液 TFP 設計用于濺射、蒸鍍和非電鍍沉積薄膜蝕刻高分辨圖案輪廓，這些薄膜普遍用于硅片的鎳和金的金屬化薄膜的阻擋層 | ||
| EC | 鈀蝕刻液 EC 主要用于鈀基板的高精細電化學(xué)蝕刻，合金如鈀-銀也可很容易蝕刻。電化學(xué)蝕刻可在基板材料上精細、準確地蝕刻 | |||
| 鈦蝕刻液 | TFT | 設計用于蝕刻通常用做粘接和阻擋層的蒸鍍膜，優(yōu)異的分辨率、光刻膠相適性以及最小化的底切 | ||
| TFTN | 主要用于蝕刻玻璃或二氧化硅基板上沉積的鈦薄膜，不含氫氟酸 | |||
| 鈦鎢蝕刻液 | TiW-30 | 鈦鎢蝕刻液TiW-30 適用于微電子制作中鈦-鎢粘接層的選擇性蝕刻液，可有效地蝕刻沉積在氮化硅或二氧化硅表面的鈦-鎢薄膜，具有優(yōu)異的蝕刻精度和蝕刻速度控制，與正負性光刻膠廣泛的適應性 | ||
| 氧化鐵掩膜版蝕刻液 | ME-10 | 固體器件制作非常依靠使用光刻技術(shù)制備圖案. 標準蝕刻液 | ||
| ME-30 | 固體器件制作非常依靠使用光刻技術(shù)制備圖案. 節約成本的蝕刻液 | |||
| 鉬蝕刻液 | TFM | 用于半導體和微電子技術(shù)的鉬薄膜金屬化層的選擇性蝕刻液 |
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