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晶體結(jié)構(gòu)面心立方熔點(diǎn)1420°密度2.4g/cm3晶型N/P/本征晶向<100>，<110>,<111>電阻率0.001-0.1Ω.cm，0.1-1Ω.cm，1-10Ω.cm，10-50Ω.cm，&nb
生長方法提拉法晶體結(jié)構(gòu)立方密度5.323g/cm3熔點(diǎn)937.4°摻雜物質(zhì)不摻雜 摻Sb摻In或Ga類型N/P電阻率0.05Ω.cm 0.05-0.1Ω.cm＞35 Ω.cm尺寸直徑：2英寸 ，3英寸，4英寸厚度：0.5mm，1mm，2mm晶相<100>,<110
晶體結(jié)構(gòu)六方晶系熔點(diǎn)2040°密度3.98g/cm3晶型A R M C晶向<11-20>，<1-102>,<10-10><0001>熱導(dǎo)率0.055（23℃）0.040（77℃）熱膨脹系數(shù)7.5*10-6介電常數(shù)9.4 @300K at A axis ~ 11.58@ 300K atC axis尺寸10×3,10×5，10×10,15×15，20×15，20×20，可按照客戶需求定制特殊尺寸
晶體取向C-axis(0001) ± 0.5°導(dǎo)電類型N型電阻率< 0.5 Ω·cm位錯密度Less than 5x106 cm-2有效面積大于90%尺寸10×10.5，14*15，厚度：300,350,400um可按照客戶需求定制特殊尺寸基片拋光Front Surface: Ra < 0.2nm. Epi-ready polishedBack Surface: Fine ground包裝Packaged in a&n
產(chǎn)品名稱尺寸晶向LAST晶片5*5*0.5mm/10*10*0.5mm等<100>PMN-PT晶片5*5*0.5mm等<100>SGGG晶片5*5*0.5mm等<111>YAP晶片5*5*0.5mm/10*10*0.5mm等<100>YSZ晶片10*10*0.5mm/φ2”等<100><110><111>摻鈮鈦酸鍶晶片10*10*0.5mm等<100><110><111>摻鈰YAG晶片10*10*0.5
當(dāng)前位置：